CS4N60A3R دیتاشیت

CS4N60A3R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS4N60A3R
حجم فایل 71.912 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS4N60A3R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A3R
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5Ω@10V,2A
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه